次世代メモリー、混載NVMで主役候補にマスク枚数低減に大きく寄与、現行フラッシュ技術も進化MRAM（磁気抵抗メモリー）やReRAM（抵抗変化型メモリー）などの次世代メモリーが、マイコンなどに搭載される混載不揮発性メモリー（eNVM）の主役候補として浮上している。28nm以降の先端プロセスでは混載フラッシュのための追加マスクの費用が問題となっており、コスト低減の手法として次世代メモリーの採用に踏み切るところが出てきているためだ。ディスクリートメモリーとしては、まだ課題を残す次世代メモリーだが、組み込み分野でいよ...